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電力電子實驗裝置

1.必須采用模塊化設計,模塊采用全透明亞克力外殼,能直觀的看到內部電路結構、元器件及電路板絲印標識。外殼底部裝有強力磁石,可以吸附在支架的網孔背板上,位置可以任意挪動。模塊之間可靠連接,方便組合搭配和拆卸。要求標書內附有符合此項要求的產品實物照片或圖片,并加以說明具體的實現方式;

2.MOSFET功率電路要求采用大功率MOSFET(600V/25A)的半橋型電路結構,并帶有隔離的驅動電路及保護電路,可以組合成半橋、H橋、三相全橋的功率電路結構。

3.要求提供SPWM控制模塊,可以輸出相位互差120°的6路PWM波,占空比、頻率可調且死區時間≤2us。三相正弦調制波頻率20~200Hz可調,載波頻率5K~20KHz可調。以上信號均可示波器測量;

4.要求提供PWM控制模塊,可以輸出相位互差180°的2路PWM波,占空比、頻率可調且死區時間≤2us。調制波幅值可調,載波頻率5KHz、10KHz,20KHz三檔可選。以上信號均可示波器測量;

5.要求配有獨立的三相LC濾波模塊,L=1mH,C=22uF,且參數可定制;

6.要求模塊的硬件接口和電路線路圖完全開放。裝置的所有電路結構、線路原理圖全部開放;所有功能接口的信號定義、特性、功能和技術指標全部開放。要求標書內附有IGBT半橋結構的模塊電路圖截圖和說明性資料;

7.設備硬件可與NI仿真器做無縫對接,進行半實物仿真及設計性實驗;

8.實驗要求:

(1)MOSFET特性實驗

(2)PWM控制原理實驗

(3)SPWM控制原理實驗

(4)降壓斬波電路(Buck Chopper)實驗

(5)升壓斬波電路(Boost Chopper)實驗

(6)升降壓斬波電路(Boost-Buck Chopper)實驗

(7)單相全橋逆變電路實驗

(8)三相橋式逆變電路實驗

(9)單相半波可控整流電路實驗

(10)單相橋式全控整流電路實驗

(11)三相半波可控整流電路實驗

(12)三相橋式全控整流電路實驗

(13)單相交流調壓實驗

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